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法国蒙彼利埃大学Eric Tournié教授来半导体所北京幸运赛车

2019-07-15

 

应半导体所所材料重点实验室刘峰奇研究员的邀请,2019712日,法国蒙彼利埃大学(IES, Université de Montpellier, CNRS, F-34000 Montpellier, France)的Eric Tournié教授来半导体所进行学术北京幸运赛车,并在黄昆半导体科学技术论坛上作第343期报告。

北京幸运赛车会上,Eric Tournié教授作了题目为 Antimonide-based devices: the infra-red optoelectronics toolbox”的学术报告,系统地介绍了以锑化物为基础的光电子器件,对InAs/AlSb长波和短波量子级联激光器、GaInSb/InAs带间级联激光器以及InAs/GaSb二类超晶格探测器、硅基材料生长等进行了精辟的阐述,发表了自己独到的见解,并与在座的30余名博士和硕士研究生进行了热烈的讨论和北京幸运赛车,使大家受益匪浅。

此外,半导体所刘峰奇研究员、王利军研究员、卓宁副研究员与Eric Tournié教授进行了座谈,大家感谢他在百忙之中来半导体所作学术报告并进行学术北京幸运赛车,希望双方能进一步加强合作,不断促进我所与蒙彼利埃大学的友好合作关系。

  

        



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